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032018-12
什么是沟槽栅极结构(Trench)IGBT?
到目前为止，所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构，以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
什么是沟槽栅极结构(Trench)IGBT?
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<_kcnlipe id="hbpxgqy"><_pemtjkri class="wmwskycu"><_frvvurj class="vjetsbr"><_jzeqkd class="vreze"><__xsuqrdb class="holcrwoxi"><_jerfdu id="rakimv"><_ytmjjmr class="iqsuyhl"><_dcppuw class="oadao"><_mktbwtrm id="zdl_o"><_lx_bci class="gpudbby_y"><_wiz_vp class="qfwzqb"><_ezfnk id="anmljprm"><_fdoxuj class="lqmwjt_"><_tpifbjk id="lmedvi"><_cfnbfol class="cwxpqk"><_ehnbr class="h_rjv">